젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 연례 개발자 회의 'GTC 2026' 기조연설에서 삼성을 특별히 언급하며 감사를 표하면서 양사 간 긴밀한 협력이 부각됐다.

황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 소재 SAP센터에서 진행한 기조연설에서 추론 전용 칩을 소개하면서 "삼성이 우리를 위해 '그록(Groq)3' 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다"며 "지금 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다. 삼성에게 정말 감사드린다"고 말했다.

황 CEO는 해당 칩이 엔비디아의 차세대 AI 칩 '베라 루빈' 시스템에 탑재된다고 설명하면서 "올해 하반기, 아마 3분기께 출하가 시작될 것"이라고 말했다.

그록3 LPU는 엔비디아의 '루빈' 그래픽처리장치(GPU)와 역할을 나눠 추론 성능과 효율성을 높이는 칩으로, 황 CEO의 이번 발언을 통해 삼성전자의 파운드리(반도체 수탁생산) 사업부가 생산하고 있다는 사실이 확인됐다.

이에 따라 삼성전자는 엔비디아의 GPU에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 외에 파운드리 부문에서도 엔비디아와의 협력을 대내외에 과시할 수 있게 됐다.

삼성전자도 이날 GTC 행사장에 마련한 전시장을 통해 차세대 HBM인 'HBM4E'의 실물 칩과 적층용 칩인 '코어 다이' 웨이퍼를 처음으로 일반에 공개하며 메모리 부문에서 엔비디아와의 협력을 적극적으로 홍보했다.

올 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다.

이는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작 6세대 HBM4의 13Gbps 전송속도와 3.3TB/s 대역폭을 뛰어넘는 수치다.

삼성전자는 HBM4의 양산을 통해 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리의 4㎚(나노미터) 베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품) 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 가속한다는 계획이다.

삼성전자는 HBM4E의 성능에 대해 메모리와 자체 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 개발하고 있다고 설명했다.

삼성전자가 HBM4의 양산 출하 직후부터 HBM4E을 공개하고 나선 것은 SK하이닉스나 마이크론 등 다른 경쟁사와의 격차를 부각하기 위한 것으로 풀이된다.

특히 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 통해 이와 같은 경쟁력이 종합반도체기업(IDM)만의 강점임을 내세웠다.

삼성전자는 또 영상을 통해 열과 압력으로 쌓은 칩을 연결하는 열압착접합(TCB)과 견줘 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상 고적층도 지원하는 하이브리드구리접합(HCB) 패키징 기술도 공개했다.

엔비디아와의 협력 관계를 보여주는 전시품도 전면에 배치했다.

엔비디아의 차세대 그래픽처리장치(GPU) '루빈'에 탑재되는 HBM4를 비롯해 중앙처리장치(CPU) '베라'용 소캠(SOCAMM·서버용 저전력 메모리 모듈)2, 기업용 6세대 SSD인 'PM1763' 스토리지 등을 통해 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리를 공급할 수 있다는 점을 부각했다.

한편 송용호 삼성전자 AI센터장은 오는 17일 GTC 엔비디아 특별 초청 발표에 나서 엔비디아의 AI 인프라 혁신을 뒷받침하는 삼성전자 메모리의 '토털 설루션' 비전을 발표할 예정이다.